场效应管(FET)分为结型场效应管(JFET)与绝缘栅型场效应管(JGFET)两大类。JFET的栅极(G)控制作用是通过反向偏置的PN结来实现的，因制造工艺决定了反向偏置的两个PN结完全对称，正如教科书上所说的那样可以双向运用，即漏极(D)与源极(S)能够互换使用。而JGFET的结构特殊，由金属——氧化物——半导体三层材料紧密相依构成，因此简称MOSFET。MOSFET的性能更为出众，输入阻抗更高(10的8次方—10的9次方Ω)、无二次击穿、安全工作区域宽，更适宜用作电子开关，其中增强型N沟道MOSFET目前已在彩电等开关电源电路中得到广泛应用。增强型MOSFET因与JFET制造工艺不同，D与S并非如大家所想象的那样呈现对称性。例如S与D相对于G的极间电容绝然不同，栅漏电容Cgd低于1pF，而栅源电容Cgs则要高得多；源漏电阻Rsd也比漏源电阻Rds大。制造中S与衬底在内部连通。器件气密封装的金属管壳或塑封结构的外露散热片往往也在内部与S相通。还有些MOSFET内部在G、S栅源极间增添了加速二极管加强保护。这些工艺都是专门针对S而“特”设的，相比之下D却全无……鉴于增强型MOSFET器件自身的S与D并不具有对称性，因此双向运用也不具可行性，即S与D不可互换使用。其实，MOSFET的设计制造商也从未刻意考虑过双向运用问题，因为这种用法毫无必要。此外配合MOSFET外用的金属散热器往往都是与印刷电路板的某些金属导电箔连通的，将D与S两极互换使用还可能会引发“短路”故障。
    笔者还要提醒广大读者：维修代换MOSFET时切忌不作任何安全措施而“一换了之”!除了必须严格确保代换器件的电极准确无误地“对号入座”外，MOSFET的散热与绝缘问题也不容忽视。器件与散热器的结合部表面应均匀涂抹导热硅脂，以利于MOSFET合理散热。若代换器件有金属管壳或塑封的外露散热片时务须衬垫绝缘隔膜，并须注重在安装孔内套衬绝缘管件，将绝缘措施做得完善彻底，以杜绝安全隐患。如不高度重视散热与绝缘，也会导致维修代换的失败。