Y-QFT4503M采用8脚贴片封装,实为一只复合MOSFET,内含一只P沟道和N沟道场效应管,如图1所示,其最大漏源电流Idsm为7A,最大漏源电压Vds为30V。该元件在TCL液晶彩电中的应用电路如图2所示,U1.U2 (y-QFT4503M)组成一组全桥输出电路,推动高压变压器T1~T3,使之产生高压,其引脚功能及实测电压见表1。
Y-QFT4503M采用8脚贴片封装,实为一只复合MOSFET,内含一只P沟道和N沟道场效应管,如图1所示,其最大漏源电流Idsm为7A,最大漏源电压Vds为30V。该元件在TCL液晶彩电中的应用电路如图2所示,U1.U2 (y-QFT4503M)组成一组全桥输出电路,推动高压变压器T1~T3,使之产生高压,其引脚功能及实测电压见表1。
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