8脚贴片MOSFET管外形与8脚贴片IC相同，多采用sOP-8、TSSOP-8、PowerPAK SO-8封装形式，如图1、图2所示。这类MOS-FET管内置一只或两只N沟道或P沟道场效应管，具体类型有单只N沟道管(简称“N”)、单只P沟道管(简称“P”)、两只N沟道管(简称"N+N")、两只P沟道管(简称“P+P”)、一只P沟道管和一只N沟道管(简称“P+N")，其引脚功能如图3~图7所示。

       说明:(1)表中Vos表示漏源极击穿电压， I.(Max)表示漏源极最大直流电流，Po (Max)表示最大耗散功率，Vos表示最大栅源极电压，Vs(th)表示栅极开启电压(又称阈值电压)。R(on)表示在外加一定的栅源电压(Vo)导通时，漏源极间的最大阻抗。Qgs表示栅源极间总充电电量，Qgd表示栅漏极间总充电电量，Qg表示在外加一定的栅源电压(Vos )导通时，栅极的总充电电量。Rg(Typ)表示栅极电阻的典型阻值。(2)PAK-SOP-8封装又称Power PAK SOP- 8封装，表示采用底部带有散热片的SOP-8封装形式。(3)表中画有“- ”的空格表示暂未收集到相关项数据。