MTB33N10E

  材料：N-FET

  外形：图

  用途：功率放大,音频（低频）,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,

  极限电压Vm：100

  极限电流Im：33

  最大漏极电流Idss：

  耗散功率P：2.5

  最大输出耗散功率Po：

  最高工作频率fm：

  导通电阻Rds：0.058

  开关时间：

  噪声系数Nf：

  噪声电压Vn：

  国内外相似型号：


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