3SK33

  材料：N-FET

  外形：图

  用途：双栅四极,调频,高频放大（射频放大）,甚高频,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,增强型金属氧化物FET,

  极限电压Vm：25

  极限电流Im：15m

  最大漏极电流Idss：

  耗散功率P：0.25

  最大输出耗散功率Po：

  最高工作频率fm：100M

  导通电阻Rds：

  开关时间：

  噪声系数Nf：

  噪声电压Vn：

  国内外相似型号：

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