IRFK3DC50

  材料：FET

  外形：图

  用途：MOSFET半桥组件,

  极限电压Vm：600

  极限电流Im：24

  最大漏极电流Idss：

  耗散功率P：500

  最大输出耗散功率Po：

  最高工作频率fm：

  导通电阻Rds：0.23

  开关时间：

  噪声系数Nf：

  噪声电压Vn：

  国内外相似型号：

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