IRFK6HC50

  材料:FET

  外形:图

  用途:MOSFET半桥组件,

  极限电压Vm:600

  极限电流Im:48

  最大漏极电流Idss:

  耗散功率P:625

  最大输出耗散功率Po:

  最高工作频率fm:

  导通电阻Rds:0.1

  开关时间:

  噪声系数Nf:

  噪声电压Vn:

  国内外相似型号:

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