2N5269

  材料：P-FET

  外形：图

  用途：高频放大（射频放大）,

  极限电压Vm：60

  极限电流Im：8m

  最大漏极电流Idss：

  耗散功率P：0.3

  最大输出耗散功率Po：

  最高工作频率fm：100M

  导通电阻Rds：

  开关时间：

  噪声系数Nf：

  噪声电压Vn：

  国内外相似型号：2N5464