2SJ176

  材料：P-FET

  外形：图

  用途：激励、驱动,增强型金属氧化物场效应晶体管,

  极限电压Vm：60

  极限电流Im：15

  最大漏极电流Idss：

  耗散功率P：30

  最大输出耗散功率Po：

  最高工作频率fm：

  导通电阻Rds：0.11

  开关时间：135/380

  噪声系数Nf：

  噪声电压Vn：

  国内外相似型号：2SJ141

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