说明:1. BVDSS Min表示最小源漏击穿电压，使用时不得超过此电压;Qg Typ表示栅极总电荷量;ID表示额定电流;PD表示额定功率。
        2.若类型为“N，P”，表示该MOSFET内含N、P沟道场效应管各一只;在主要参数列中，逗号前为N沟道场效应管参数，逗号后为P沟道场效应管参数。
        3.在彩电中，功率型MOSFET多为N沟道，其检测方法如下:先将指针万用表置于RX10k挡，将红表笔接MOSFET的源极(S)， 黑表笔接MOS-FET'的漏极(D)，此时表针应指示在“∞”处，如果有数百千欧姆电阻或更小，表明该管DS极间漏电，不能使用。保持上述连接状态，再用一只100k~220k的电阻跨接在栅极(G)与漏极(D)间，这时万用表指针指示的电阻值应越小越好(理想状态是0Ω)。接下来，移走上述跨接电阻，这时万用表的读数应保持不变，若这时读数慢慢变大，则表明该管栅极漏电，不能使用。