晶体管TIS156参数

TIS156材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,极限电压Vm：30极限电流Im：30m最大漏极电流...

   2008-07-16

晶体管TIS152参数

TIS152材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,极限电压Vm：25极限电流Im：15m最大漏极电流...

   2008-07-16

晶体管C2T204参数

C2T204材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：30m&nb...

   2008-07-16

晶体管C2T212参数

C2T212材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：27极限电流Im：40m&nb...

   2008-07-16

晶体管C2T213参数

C2T213材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：35极限电流Im：40m&nb...

   2008-07-16

晶体管C2T205参数

C2T205材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：30m&nb...

   2008-07-16

晶体管C2T211参数

C2T211材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：27极限电流Im：40m&nb...

   2008-07-16

晶体管C2T206参数

C2T206材料：N-FET外形：图用途：双栅四极,耗尽型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：25极限电流Im：30m&nb...

   2008-07-16