下图为饮水机中的臭氧发生器电路，通过它产生臭氧进行消毒。网上查得VS(PCR606J)资料：单向可控硅，反向电压Vdrm=400V，通态电流It(rms)=0.6A，触发电流Igt=10～30uA。用其他可控硅(如BT169D/400V,0.8A)代换，电路亦能工作。 

           电容C(0.22uF)的充电回路，由交流电源正半周经二极管VD，电容C，脉冲变压器的初级线圈L1，可控硅VS的阴极K，到可控硅的控制极G，再经电阻R(5.6k)形成回路。由于G—K间为PN结，此时该PN结为反偏。PN结反偏若进入反向击穿区，只要控制反向电流的大小，就如通常的稳压二极管那样击穿导通提供充电通路，而不会真正击穿。 
           用一台50V的直流稳压电源、一只39k的电阻与G—K串成反向击穿电压测量回路，用数字表测得BT606D的G—K问反向击穿电压约15.5V。其他如BT169D与MCR100-6R的G—K反向击穿电压分别为7.8V和11.5V。 
           在充电期间，由于G—K反偏，所以VS截止。当C充满电后，二极管VD截止，这时电容上的电压uc(上正下负)经R1为Vs提供触发电流，使VS导通，于是电容C经L1和导通的VS迅速放电，在L1上产生较大的脉冲电流，脉冲变压器T的次级线圈L2感应出脉冲高压，该高压加到臭氧管两端使其放电，使周围的空气电离成臭氧。
           另外，L1上的脉冲电流瞬时可达4A以上而VS(PCR606)的通态电流才0.6A，经受得了这么大的过流吗?事实上，该参数是指通态电流的有效值(均方根值)，而脉冲状态的均方根值较小。还有一个描述可控硅电流瞬时过载能力的参数Itsm，即浪涌通态峰值电流，其值约为It(rms)的10倍，可见它的瞬时电流过载能力较强。所以在实际工作中VS不怎么热，倒是电阻R2(5.6k)有点温度。 
           传统的臭氧发生器电路实在是太多了，而这款仅仅由几只元件组成的利用VS的。K-G反偏特性的电路，是一种创新。