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场效应管参数列表
正文
晶体管BM161,R,RS,S参数
2017-05-16
作者:
947
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BM161,R,RS,S
材料:FET
外形:图
用途:MOSFET半桥组件,
极限电压Vm:100
极限电流Im:33
最大漏极电流Idss:
耗散功率P:150
最大输出耗散功率Po:
最高工作频率fm:
导通电阻Rds:0.06
开关时间:
噪声系数Nf:
噪声电压Vn:
国内外相似型号:
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