BM101,R,RS,S

  材料：FET

  外形：图

  用途：MOSFET半桥组件,

  极限电压Vm：500

  极限电流Im：12

  最大漏极电流Idss：

  耗散功率P：150

  最大输出耗散功率Po：

  最高工作频率fm：

  导通电阻Rds：0.4

  开关时间：

  噪声系数Nf：

  噪声电压Vn：

  国内外相似型号：