晶体管GS1525(A)参数

GS1525(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：500极限电流Im：32最...

   2008-07-23

晶体管GS1510(A)参数

GS1510(A)材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：500极限电流Im：18最...

   2008-07-23

晶体管GSP422参数

GSP422材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：50极限电流Im：10&...

   2008-07-23

晶体管HGTH12N40C1参数

HGTH12N40C1材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：400极限电流Im：12 ...

   2008-07-23

晶体管HGTH12N40C1D参数

HGTH12N40C1D材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：400极限电流Im：12&nbs...

   2008-07-23

晶体管HGTH12N40E1参数

HGTH12N40E1材料：IGBT外形：图用途：功率放大,开关,极限电压Vm：400极限电流Im：12 ...

   2008-07-23

晶体管BUZ353参数

BUZ353材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电流Im：9....

   2008-07-23

晶体管BUZ354参数

BUZ354材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电流Im：8&...

   2008-07-23

晶体管BUZ355参数

BUZ355材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：800极限电流Im：6&...

   2008-07-23

晶体管BUZ357参数

BUZ357材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000极限电流Im：5...

   2008-07-22

晶体管BUZ356参数

BUZ356材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：800极限电流Im：5....

   2008-07-22

晶体管BUZ358参数

BUZ358材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：1000极限电流Im：4...

   2008-07-22

晶体管CHM11T-M155(A)参数

CHM11T-M155(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极...

   2008-07-22

晶体管CHM11C-M155(A)参数

CHM11C-M155(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极...

   2008-07-22

晶体管BUZ382参数

BUZ382材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极限电流Im：12...

   2008-07-22

晶体管BUZ385参数

BUZ385材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极限电流Im：9&...

   2008-07-22

晶体管CHM01C-M155(A)参数

CHM01C-M155(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500极...

   2008-07-22

晶体管CHM01T-,M155(A)参数

CHM01T-,M155(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：500...

   2008-07-22

晶体管CHM03C-M155(A)参数

CHM03C-M155(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极...

   2008-07-22

晶体管CHM03T-M155(A)参数

CHM03T-M155(A)材料：N-FET外形：图用途：功率放大,开关,增强型金属氧化物场效应晶体管,极限电压Vm：400极...

   2008-07-22