概述:3CT501可控硅它采用TO-92封装,其外形尺寸、管脚排列如下图所示。
其详细电气参数如下:
断态重复峰值电压VDRM=500V
反向重复峰值电压VRRM=500V
通态平均电流IT(AV)=1A
通态不重复浪涌电流ITSM=10A
控制极平均功率PG(AV)=0.1W
通态峰值电压VTM=1.7V (IT=1A)
维持电流IH=5mA (VD=6V)
控制极触发电流IGT1=5~250μA
控制极触发电压VGT1=0.5~0.8V
概述:3CT501可控硅它采用TO-92封装,其外形尺寸、管脚排列如下图所示。
其详细电气参数如下:
断态重复峰值电压VDRM=500V
反向重复峰值电压VRRM=500V
通态平均电流IT(AV)=1A
通态不重复浪涌电流ITSM=10A
控制极平均功率PG(AV)=0.1W
通态峰值电压VTM=1.7V (IT=1A)
维持电流IH=5mA (VD=6V)
控制极触发电流IGT1=5~250μA
控制极触发电压VGT1=0.5~0.8V
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