概述:3DD207是一款三极管为低频大功率NPN型硅管,TO-3封装工艺。其主要参数:BVCBO=60V; BVCEO=60V; BVEBO=6V;IC=5A; PC=50W。VCE(sat)=1.0V; VBE(sat)=1.5V。ICBO=0.5mA; IEBO=0.1mA。
概述:3DD207是一款三极管为低频大功率NPN型硅管,TO-3封装工艺。其主要参数:BVCBO=60V; BVCEO=60V; BVEBO=6V;IC=5A; PC=50W。VCE(sat)=1.0V; VBE(sat)=1.5V。ICBO=0.5mA; IEBO=0.1mA。
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