概述:LTC4447采用扁平(0.75mm)3mmx3mmDFN-12封装,在-40°C至85°C的温度范围内工作, 该器件在一个4V至6.5V的电压范围内对上端和下端MOSFET栅极进行轨至轨驱动,并可从一个高达38V的电源电压获取工作电源。这个强大的驱动器可以吸收高达5A的电流,并提供高达3.2A的电流,从而非常适用于驱动高栅极电容、大电流MOSFET。
概述:LTC4447采用扁平(0.75mm)3mmx3mmDFN-12封装,在-40°C至85°C的温度范围内工作, 该器件在一个4V至6.5V的电压范围内对上端和下端MOSFET栅极进行轨至轨驱动,并可从一个高达38V的电源电压获取工作电源。这个强大的驱动器可以吸收高达5A的电流,并提供高达3.2A的电流,从而非常适用于驱动高栅极电容、大电流MOSFET。
网友评论