硅双向电压触发开关(简称SIDAC)，采用PN结玻璃钝化工艺，适用于交流电源电路。与人们所熟知的双向触发二极管(DIAC)比较，SIDAC不仅具有高击穿电压、明显的负阻特性和非常低的导通压降．而且能承受大容量的浪涌电流，在各种气体放电灯电路中目前是最理想的触发启动元件。而且在高压电源、脉冲发生器、机动车电子点火器和各种保护电路中，亦有比较广泛的应用。  

    SIDAC的图形符号如图1，它有267-03、TO-92和TO-202AB等几种封装形式(图2)。SIDAC具有双向对称的负阻特性，其电压-电流(V-I)特性曲线见图3。只要施加于SIDAC两端的外加电压达到击穿值Vbo后，通过负阻特性区则进入导通状态，导通角达120°～145°。与可控硅(SCR)类似，只要通过SIDAC的电流保持其最小维持电流Ihmin以上，SIDAC则连续导通，并且具有非常低的导通压降。与SIDAC比较，DIAC器件不仅电流容量小(mA级)，击穿电压低(约30V)，且负阻特性很不明显，导通压降非常大(约15～20V)。 
    SIDAC的击穿电压Vbo=90～330v，导通电流IT(rms)达1A，导通压降Vtm不大于15V。附表给出了TECCOR和摩托罗拉公司部分产品型号及电参数。 
    图4为SIDAC应用电路与SCR应用电路的对比，可以看出，采用SIDAC之后，可省略触发电路。 

    70W高压钠灯电子镇流半桥逆变及输出电路如图5。其中，SIDAC采用MKP1V130作为触发元件，L的升压比为30：1。在接通电源之后，自振荡半桥驱动器IC(IR2155)推动Q1、Q2轮流导通，输出占空比为50％的方波脉冲。在SIDAC击穿导通后，L产生3～4kV的高压将钠灯引燃。在灯启动之后，L起限流作用。SIDAC还可以用作保护元件，例如，将其连接于高压晶体管的c—b极或c-e极之间，只要外加电压达到SIDAC的Vbo值，SIDAC则迅速导通，避免了晶体管击穿损坏。