概述：该肖特基管适用于高压高速的场效应管的驱动，耐压600V以上，内部有欠压锁定功能，驱动功率大，输出脉冲电压幅度10〜20V,输出电流200〜400mA，脉冲接通延迟时间125μS左右，断开延迟时间是105μS左右。

IR2117外观图


IR2117引脚图

IR2117引脚功能含义

1 Vcc 输入级工作电源端 供电电源,抗干扰,该端应接一去耦网络到地
2 IN 控制脉冲输入端 直接按控制脉冲形成电路的输出
3 COM 输入级地端及Vcc参考地端 接供电电源Vcc地
4,5 NC 空脚 悬空
6 Vs 输出级参考地端 接被驱动的MOSFET源极或IGBT射极及负载端
7 HO 驱动脉冲输出端 通过一电阻接被驱动的MOSFET或IGBY的栅极
8 VB 输出级工作电源端（高边悬浮电源端） 当VB与Vcc使用独立电源时,接用户提供的电源,此时VB的参考地为VS而Vcc的参考地为COM。在两电源之间,电位应隔离。当VB与Vcc利用自举技术产生时,此端分别通过一电容及二极管接VS及Vcc

IR2117特点和参数
（1）采用悬浮通道设计,内部自举工作可用来驱动从低压到600V工作母线电压中的MOSFET或IGBT;
（2）对负的瞬态电压上升率无限制;
（3）栅极驱动电压范围宽达10～20V;
（4）采用CMOS施密特触发器输入及推挽功放输出方式;
（5）具有欠压封锁功能;
（6）输出与输入同相。
3.2 极限参数
下面是IR2117的极限参数：
（1）高边悬浮电源电压VB：-0.3～625V;
（2）高边悬浮电源参考电压Vs：VB-25～VB+0.3V;
（3）高边悬浮输出电压VHO：Vs-0.3～VB+0.3V;
（4）逻辑输入部分工作电源电压Vcc：-0.3～25V;
（5）逻辑输入电压VIN：-0.3～Vcc+0.3V;
（6）允许的参考电源电压上升率dVs/dt：50000V/μs;
（7）功耗：SOIC封装的功耗为0.625W;DIP封装的功耗为1W;
（8）允许最高工作结温Tj：150℃;
（9）存贮温度Tstg：-55～150℃;
（10）焊接温度（焊接时间10s）TL：300℃;
3.3 推荐工作条件
IR2117的推荐工作参数如下：
（1）高边悬浮电源电压绝对值VB：Vs+10～Vs+20V;
（2）高边悬浮电源参考电压Vs：600V;
（3）高边悬浮输出电压VHO：Vs～VB;
（4）逻辑电源电压Vcc：10～20V;
（5）逻辑输入电压范围VIN：0～Vcc;
（6）工作环境温度TA：-40～125℃。


IR2117内部方框图

原理讲解：
它在内部集成有一个施密特触发器,一个脉冲增益电路,两个欠压检测及保护电路,一个电平移位网络,一个与非门,一个由两个MOSFET组成的互补功放输出级、一个RS触发器以及一个脉冲滤波器共九个单元电路。
正常工作时,若IR2127的逻辑电源部分及输出电源部分不欠压,则来自用户控制脉冲形成单元的信号先由施密特触发器整形,再经脉冲增益环节放大后,由电平移位网络进行电平移位与匹配,再经RS触发器触发后由互补推挽输出级输出驱动外接的MOSFET或IGBT。一旦输入逻辑部分电源或输出功放级悬浮电源中有一个出现欠压,则两部分中将有一个输出信号被封锁而使输出驱动脉冲变为低电平。