以N沟道的为例。图一为点型结构

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看图三的(A),对应着图一看。

    以发射极为参考,当栅电压高于VTH时,会在栅下方的P区形成电子的导电沟道。MOS管导通。两块绿色区域夹着的P这个整体构成MOS。两个红色和中间的绿色构成PNP三极管,MOS导通后,相当于能够提供三极管的基极电流,使三极管导通。电流流向如图二

    图一中,结J2的一侧为轻掺杂,击穿电压很高,器件的击穿电压也就很高。缓冲区N+虽然阻止了J2 的耗尽层向集电极扩展,但同时使J3的击穿电压急剧下降。

    图三的(B)为考虑寄生的等效电路图