概述：E5116AHSB是早期的DDR SDRAM存储芯片。它为84脚球型FBGA无铅封装，1.8V±0.1V供电。是一个容量为512Mbit的DDR SDRAM，内部组织是8M字×16比特×4堆栈结构。

一、E5116AHSB引脚功能

 

二、E5116AHSB功能和特点
* 数据速率：800Mbps/667Mbps/533Mbps/400Mbps
* 2KB页容量
* 同时工作的内部4个存储堆栈
* SSTL_18界面
* 烧录长度：4，8
* 烧录类型：连续、交错
* 每一烧录存取自动预充电压选择
* 驱动器强度：普通/弱
* 自动刷新和自我刷新
* 刷新周期：8192周/64ms