概述；W9412G6IH是一个CMOS双数据率同步动态随机存储器（DDR SDRAM）；由2M字*4行*16位组成。W9412G6IH传输一个数据带宽达到500M字每秒。它为66引脚TSOP封装。 所有的输入参考正边缘CLK（除了DQ，DM，和CKE之外）。当CLK和/CLK信号交错在转变期间时，不同的时钟为定时参考点。写和读数据是同步在DQS边缘之间（数据 Strobe）。 有可编程样式寄存器，系统能够改变冲突长度，潜伏周期，相互许可或者相继冲突使最大化他的性能。W9412G6IH是理想的主存储器在高性能的应用中。 

一、W9412G6IH功能和特点
1. 2.5V+/-0.2V电源电压为DDR266/333/400/500

2.达到250MHz时钟频率

3.双数据率样式：每个时钟周期有两个数据传输

4.不同的时钟输入（CLK和/CLK）

5.DQS是边缘读数据，中心缘为写数据

6.CAS潜伏期：2，2.5，3，和4

7.冲突长度：2，4和8

8.自动刷新和自我刷新

9.预关机和主动关机

10.写数据掩盖

11.写潜伏期=1

12.15.6uS刷新间隔（4K/64mS刷新）

13.最大的冲突周期：8

14.接口：SSTL_2

 

二、W9412G6IH信号流程