概述：LTC3854采用小型2mm x 3mm DFN-12封装。为宽输入电压范围同步降压型开关 DC/DC 控制器 ，该器件能驱动所有 N 沟道功率 MOSFET 级。4V 至 38V 的输入范围满足多种应用需求，包括大多数中间总线电压和电池化学组成。强大的片上 MOSFET 栅极驱动器使大功率外部 MOSFET 能够用范围为 0.8V 至 5.5V 的输出电压产生高达 20A 的输出电流。        恒定频率电流模式架构提供固定的 400kHz 工作频率。LTC3854 具有一个片上 5V 稳压器，从而无需独立的偏置电压为该芯片供电。OPTI-LOOP® 补偿允许瞬态响应在宽输出电容和 ESR 值范围内得到优化，包括全陶瓷电容器设计。输出电流检测测量输出电感器 (DCR) 或一个可选检测电阻两端的压降。在短路和过载情况下，电流折返限制了 MOSFET 热耗散。此外，还具有可调软启动，以控制接通时间并控制浪涌电流。可选连续或断续电感器电流模式可用来安全地为预偏置负载供电。防贯通保护防止功率 MOSFET 中的贯通电流。以高达 96% 的占空比工作，具有非常低的压差电压，以延长电池供电应用的运行时间。具有一个精确的 0.8V 基准，在 -40ºC 至 85ºC 的工作温度范围内具有 ±1% 的准确度。    

一、LTC3854功能和特点：        
        ·VIN 范围：4V 至 38V 
        ·VOUT 范围：0.8V 至 5.5V 
        ·强大的片上 N 沟道 MOSFET 驱动器 
        ·内置 5V 稳压器 
        ·防贯通保护 
        ·电流模式控制 
        ·安全地为预偏置负载供电 
        ·DCR 或 RSENSE 电流检测选项 
        ·输出折返电流限制 
        ·可编程软启动 
        ·40kHz 固定工作频率 
        ·96% 最大占空比 
        ·在 -40℃至 +85℃的温度范围内具有 ±1% 的基准电压准确度

二、LTC3854引脚功能

三、LTC3854内部方框图

四、LTC3854典型应用电路