39SF020是SST公司最近推出的一种SuperFlash型的存储器芯片，属于SST公司平行闪速存储器(Parallel Flash Memories)系列产品中的多功能型闪速存储器(Multi-Purpose Flash)，采用单一+5V电源供电，可方便地应用于嵌入式系统的电路设计中。

    与同容量的其他类型存储器相比，39SF系列闪速存储器具有明显的优点。39SF020的字节写入速度可达20μs，明显高于E2PROM型存储器。而价格又远低于同容量的非易失性静态存储器(NVSRAM)，芯片读写速度满足绝大多数场合，是一种性价比很高的存储器。

    39SF020适用于需要程序在线写入或大容量、非易失性数据重复存储的场合，其基于Super Flash技术的CMOS电路设计可以在降低功耗的同时显著提高系统的稳定性。 

1、SST39SF020性能特点

1.1 SST39SF020的主要特性

    (1)按256kB x 8b结构组织。

    (2)单一十5V供电下的读写操作。

    (3)高性能的使用寿命：读写操作可达100 000次，数据保存时间大于100年。

    (4)低使用功耗：芯片选通条件下工作电流为10mA，非选通条件下工作电流为3μA。

    (5)扇区擦除能力：4 kB空间为基本擦除单位。

    (6)读取数据时间：45-70ns。

    (7)地址和数据锁存功能。

    (8)芯片擦除和写入时间：扇区擦除时间为18ms，芯片擦除时间为70ms，字节擦除时间为14μs，芯片整体重新写入时间为2s。

    (9)具有内部擦除或写人操作完毕的状态标志位。

1.2 SST39SF020内部结构框图

    图1为39SF020内部结构框图，其中A17一A0为地址线，CE#为芯片选通信号，OE#可作为读信号，WE#为写信号，DQ7～DQ0为数据线，可方便地与8位数据总线接口。图2为39SF020的外部管脚封装图。


2、SST39SF020读写操作和特定指令代码      

    SST39SF020闪速存储器的读写时序与一般存储器的读写时序相同，当OE#和CE#信号同时为低电平时，可对芯片进行读操作；当WE#和CE#信号同时为低电平时进行写操作。39SF02Q通过特定的指令代码可以完成字节、扇区或整体芯片的写入和擦除操作。表1为39SF020对应各种操作时的代码指令表(其中BA为待写入字节的地址，Data为字节写人数据，SAx为待擦除扇区地址，软件ID退出1和2的代码指令等效，XXH为寻址空间范围内的任意地址)。


3、SST39SF020应用子程序

    SST39SF020在实际应用中需要调用特殊指令代码进行初始化设置，下面分别叙述各相应子程序。

3.1 字节写入程序

    图3所示为向SST39SF020写入单一字节的程序流程。前3次送人固定指令代码，后面送人实际需要写入数据，等待标志完成位指示，完成写入字节操作(其中Data Polling为写入完毕的标志位)。


3.2 等待查询程序

    SST39SF020在字节写入／擦除程序调用中，可以通过图4所示3种等待／查询方式中的任意1种判断写入／擦除操作过程是否完毕(其中Tbp为字节写入时间、Tsce为芯片擦除时间、Tse为扇区擦除时间，DQ7和DQ6为字节数据的最高位和次高位)。