1、将R2P2从47kΩ改为22kΩ,将L2P0从10uH改为22uH,增加CE0P5电容(100uF),如图1所示。
2、增加三端稳压电路U1P0生成3.3V电压,如图2所示。
不装R1P3,并用导线将U0P4的电压输入脚和U1PO的输出脚连接起来,如图3所示。U1P0将5V供电降为3.3V,再将3.3V电压送给U0P4,最终使DDR的供电为1.5V。
3、更改功放块④、11脚外接电容的接地端。将电容C0A6和C0A2接地端悬空,再用导线将两只电容的悬空端接到电感FBD3靠芯片一端的引脚上,如图4所示。另外,在C3P0上并一只75kΩ电阻。
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