概述：IR1166是一款智能电源管理整流驱动IC芯片，它简化了谐振半桥转换器的中功率二级同步整流（SR）电路以及为50-150W断续模式（DCM）、临界模式（CrCM）、以及连续模式（CCM）所设计的反激变流器。可精确、直接地感应通过SRMOSFET的临限电压，从而在中功率反激回路中实现快速准确的控制以减小功耗。与原来的控制系统独工作并可实现同步整流，所以可用于多种变压器切换模式以及配备电容输出滤波器的应用环境。此外，当“突发模式”在初级侧发生时，二级侧仍不受影响，符合美国加州能源委员会（CEC）的80 Plus™和“1W 待机”要求。

         以IR专有的高压 集成电路（HVIC）技术为基础，兼容于各类MOSFET栅极，还可直接连接40V至200V的同步整流MOSFET。当它与IR标准的逻辑性HEXFET功率MOSFET配合使用，便能为同步整流MOSFET降低50%的功率耗散，因而减少电路中所需MOSFET的数目，或有助使用像表面黏着SO-8零件一类更小巧的封装。这些经过最佳化的MOSFET可与IR1166相辅相成，实现完整的芯片组解决方案，进一步提升同步整流电路的效率和功率密度。IR1166采用双列直插或贴片8脚封装工艺。


一、IR1166功能和特性

* 适应反激变换器的DCM、CRM及CCM三种模式工作，还适用于LLC式半桥。
* 具有最高500kHz工作频率。
* 可提供总计4A的输出驱动及关断峰值电流(2A源出5A漏入)的能力。
* 其栅驱动输出电压在10．7～14．5V。
* 可提供50ns关断比例延迟。
* VCC电压从11．3～20V。
* 可直接检测MOSFET的源漏电压。
* 符合低于1W的Standby能量之星的要求。


二、IR1166引脚功能


三、IR1166内部方框图


四、IR1166典型应用电路