概述：THG4649是一款无线音频应用推出的FM发射集成电路，THG4649同时采用了硅锗(SiGe)双极型半导体工艺和BiCMOS半导体工艺技术制造，所有可能影响声音质量的电路都采用硅锗(SiGe)双极型半导体工艺设计，而逻辑控制电路则采用BICMOS工艺进行设计，从而改善声音质量，获得70dB的FM信号调制的信噪比(SNR)，使便携无线音频传输的质量接近"调频广播电台的音质"。针对全球不同地区的FM广播传输频段采用不同的状况,THG4649有是哪个型号以适应不同的应用：适用于76MHZ-90MHZ频段的THG4649L，适应于87.5MHZ-108MHZ频段的THG4649H，以及适应于80MHZ-100MHZ频段的THG4649M。THG4649采用无引线的32端子的QFN封装工艺。


一、THG4649功能和特性

* 电路简单:只需1片THG4649和周边的8颗电容
* 数字频率范围:80~100 MHz
* 频率响应:50~15000 (HZ)
* 频率选择:198个频点(预置8个频点)可调
* 工作电压:2.7V~3.3V工作电流:25mA


二、THG4649引脚功能和应用电路


二、THG4649电气参数