概述：BTS550P集成了N沟道垂直功率FET及充电泵，输入电流控制及识别和负载电流传感反馈电路，智能SIPMOS技术，内置完善的保护电路。广泛应用于家用电器、汽车控制电路及工业控制设备。

BTS550P实物外观图


BTS550P抽象结构图


BTS550P特点：
·过载保护
·过流限制
·短路保护
·超温保护
·超压保护（包含负载泵）
·负压输出嵌位
·快速负载感应捕捉
·BTS550P还具有低内阻电流翻转工作状态，电池极性保护，负载电流传感识别，负载开路电流传感电路，Vbb掉电保护，静电放电保护等完善的功能。

BTS550P参数指标
·超压保护Vbb（AZ）：62V
·输出嵌位电压VON（CL）：44V
·工作电压Vbb（ON）：5.0-34V
·短路电压限制值ILSCp：220A
·电流传感速率IL：IS：30000
·负载电流（ISO） ILISO：115A
·接通状态静态内阻RON：3.6mΩ

BTS550P内部结构图