晶体管(transistor)是一种固体半导体器件，泛指一切以半导体材料为基础的单一元件， 包括用各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等元件，用于检波、整流、放大开关、稳压、信号调制和许多其他功能电路中，是电子产品及电器控制设备中使用得最为广泛的元器件之一。
         由于晶体管的使用范围极广，种类较多，参数差异较大，加之不同生产厂家的命名方法不同，致使其型号非常多。在我国电器产品中所用的晶体管，除了中国生产的外，还主要有日本、美国及部分欧洲国家生产的产品，下面分别对这些晶体管的型号命名方法作一介绍，以供参考。
1.中国生产的晶体管

         中国生产的二极管、三极管的型号命名通常由五部分组成，如图1所示，如在高频电路中常用的3DG12C型三极管，该管为NPN型硅材料高频三极管(45V，0.3A，0.7W， 200MHz)。国产场效应管、复合管等其他半导体器件的型号命名一般只有第3~5部分。

2.日本生产的晶体管

         日本生产的半导体分立器件型号命名由5~7部分组成，但通常只用到前5部分，各部分的符号意义如图2所示，如在家电产品中常用的2SC1815G型三极管(常简称为C1815)，该管为NPN型高频三极管(60V ，0.15A，0.4W ， 80MHz)。

3.美国生产的晶体管

          美国晶体管或其他半导体器件的命名法较混乱，现介绍美国电子工业协会半导体分立器件命名方法。该命名方法由5部分组成，各部分的符号意义如图3所示，如JAN2N3251A型三极管，表示军级PNP硅材料高频小功率开关三极管。

4.其他国家生产的晶体管

         德国、法国、意大利荷兰、比利时等欧洲国家，以及匈牙利、罗马尼亚、南斯拉夫、波兰等东欧国家，大都采用国际电子联合会半导体分立器件型号命名方法。这种命名方法由四个基本部分组成，各部分的符号及意义如图4所示，如在黑白电视机中广泛采用的行管BU406H，该管为NPN型硅材料大功率开关三极管(400V，7A，60W)。

         图中的Eg值表示材料的禁带宽度。禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，反映电子被束缚强弱程度的一个物理量，也就是产生本征激发所需要的最小能量，其大小主要决定于半导体的能带结构。
         部分晶体管的型号命名除具有上述四部分外， 还加有后缀，以区别特性或进一步分类。对于稳压二极管而言，后缀的第一部分是一个字母，表示稳定电压值的容许误差范围，字母A.B.C.D.E分别表示容

许误差为±1%、±2%、±5%、±10%、±15%;后缀第二部分是数字，表示标称稳定电压的整数数值;后缀的第三部分是字母V，代表小数点，字母V之后的数字为稳压管标称稳定电压的小数值。整流二极管的型号后缀是数字，表示器件的最大反向峰值耐压值，单位是伏特。晶闸管型号的后缀也是数字，通常表示最大反向耐压值和最大反向关断电压中数值较小的那个电压值。另外，为帮助查询晶体三极管的参数资料，特附上相关英文标注含义，见表1。