文中电阻数据用杭州产U201型指针式万用表测得，读数10k以下的用R×100挡；10k以上的用R×10k挡。 
    1．稳压二极管 
    外加电压低于稳压值时反向电阻呈高阻，大于或等于稳压值时呈低阻状态。主要用于各种稳压电路。电路符号见图1。 
    测量方法：用万用表测量正、反向电阻。正向电阻同普通二极管；稳压值越高，反向电阻越大。 
    2．双基极二极管(单结晶体管) 
    其发射极电压UE随发射极电流IE增大而减小(即具有负阻特性)，主要用于自激多谐振荡器、阶梯波发生器以及定时电路等。电路符号及引脚举例见图2。 
    测量方法：先确定两个基极(正、反向测电阻均相等)，剩下引脚必为发射极。然后测发射极与两个基极的正向电阻．其中较小的一次，红笔接的即为B2 
  3．双向触发二极管 
  主要用于触发双向晶闸管(可控硅)和作过压保护等用途。目前有20V～60V、100V～150V、200V～250V三个等级。电路符号见图3中所示。 
    测量方法：用万用表正、反向测双向触发二极管电阻，表针均不动。可用兆欧表和直流电压表按图3所示进行。正、反向各测一次，电压大的一次为VBO，小的一次为VBR，相差不应大于2V，越小说明该管对称性越好。 
  4．晶闸二极管(可控硅) 
  具有触发导通特性，在整流、逆变、变频、调速、开关、保护、自动控制电路中广泛应用。电路符号见图4。 
    测量方法：对于中、小功率可控硅(电流小于50A)用万用表R×1挡，当红笔接K(或T1)极；黑表笔同时接A(或T2)、G极时，阻值应为几十欧，此时断开G极(红笔始终不脱离A极或T2极)，若指针仍指示几十欧(跟未断开G极时比较稍有变化)．表明可控硅是好的，且已触发导通。当表笔对调，重复上述步骤，若仍能指示几十欧，则为双向可控硅；若表针不动，则为单向可控硅。如果断开G极后，指针即指向∞，表明器件已损坏。表1为万用表测得正常可控硅的数值。  

  5．双向过压保护二极管 
  是一种具有双向稳压二极管特性和双向负阻特性的双重性质的元件，类似压敏电阻，可应用于各种交流、直流稳压电路中，用来抑制瞬时过电压。电路符号见图5。 
    测量方法：一般稳压标称值都标在管壳上，可用反压表直接测量。对于稳压值小于万用表内R×10k挡电池电压的低压型过压保护管，用万用表R×10k挡测其正、反向电阻应相等，约为几十至几百千欧，稳压值越高，阻值越大；对于高压型过压保护管(稳压值大于万用表R×10k挡电池电压的)用万用表R× 
10k挡正、反测，表针均应不动。 
  6．红外线发射二极管 
  具有发射一定波长红外线功能，广泛应用于各种红外遥控发射器中，一般为无色或黑色圆形透明封装。电路符号见图6。 
    测量方法：用万用表R×10k挡测，正向电阻约为10～15k，此值越小越好；反向电阻为无穷大。 
  7．红外线接收二极管 
  具有接收一定波长红外线功能，主要用于各种红外线遥控接收系统中，一般为黑色扁平不透明封装。电路符号见图7。 
    测量方法：与普通整流二极管相似，正向电阻约为几千欧；反向电阻无穷大。 
    8．发光二极管 
    特性与用途：管芯有一定电流通过时发出可见光，主要于各种电．器中作指示用。电路符号见图8。 
    测量方法：用万用表R×10k挡正测阻值约为10～20k，其中高灵敏度的，可见管芯发微光；反测约为250k～∞。 
  9．高压整流二极管(高压硅柱) 
  反向击穿电压高，主要用于各种高压整流电路中，如各种一体化行输出变压器中，显像管第二阳极引出线就接高压硅堆负极。 
    测量方法：为了准确判断，可按图9，用2只三极管构成复合管搭接电路，对硅堆D测量，一般正向阻值读数为几十千欧；反向阻值则在几百千欧以上。