单结管即双基极二极管，用它组成的张弛振荡器电路常用作单向可控硅的触发电路。单结管一个很重要的参数是分压比，用符号“η”表示。它是决定振荡器频率的重要参数之一。 
    单结管的结构等效电路如图1所示。

当在b2-b1极之间外加一定数值的直流电压Ubb)(b2接正)时，位于b2-b1极之间的发射极所处的电位大小由上下两部分硅片的电阻rb2与rb1形成的分压比决定，即分压比η=rb1／rb1+rb2。 
    当发射极电位Ue=ηUbb+UD时(UD即等效二极管的正向压降，约0．7V，见图1)，e对b1开始导通。此时的Ue值称为峰点电压Up。单结管导通后，b1极的体电阻rb1进入负阻区，阻值迅速减小。这时如果Ue值降低至单结管的谷点电压(一般值为1．5V-3．5V，因管而异)。则单结管重新进入阻断状态。由以上分析可知，单结管的分压比是由其结构决定的常数。分压比公式中的rb1是发射极电流Ie=0时的参数值。
    某报刊介绍的测量单结管分压比的文章称可测出“单结管在不同Ie下的分压比”。首先，单结管的分压比是一个常数，是由Ie=0时的状态决定的，“不同Ie下的分压比”是一个错误的说法。测定分压比的电路见图2。 
    按下按钮AN，调整电位器RP使微安表刚好指示100uA。标定完毕，松开AN。将单结管按正确极性插入图2中的a、b、c三点时，微安表指示的数值就是被测单结管分压比的百分数。例如，微安表指示65uA，则分压比就是0．65。 
    下面对这种测量方法的原理进行分析。测量电路通电工作时，电容C1经电阻R1和二极管D1充电，电容C2经R1充电，两只电容上的充电电压幅度相差0．7V，即D1的正向电压降。当C2上电压达到单结管的峰点电压时，发射极e对b1极开始导通，C2上电压经单结管的rb1放电．rb1进入负阻区，电流迅速增大，当C2上电压放电至单结管的谷点电压时，C2放电停止，单结管恢复到阻断状态，C2开始新一个周期的充电。 
    单结管导通后，图2中C2以mA级电流快速放电，而C1放电电流仅有uA级，又由于C1容量10倍于C2，且c2充电时间长(理论计算的充电时间常数约为1000us)，放电时间短(C2可在几us至十几us内放电至谷点电压)，所以电容C1对单结管开始导通瞬间rb1上的压降有记忆锁存作用。这个电压正是我们测量分压比所需要的。因为测量电路的工作电源即Ubb=10V，因此通过微安表间接指示的C1上电压值，就能方便地读出单结管的分压比，无须换算。 
    这种方法测得的单结管分压比完全可满足一般电子制作的需要。图2中二极管D1的作用有两个：一是当C2对单结管放电时，保证C1仅向微安表供电，而不效仿C2也与单结管构成通路；二是抵消平衡单结管等效电路中二极管D的正向压降，使C1记忆的电压刚好等于单结管导通瞬间体电阻rb1上的电压。