§7.1 概述
场效应管 (Field Effect Trasistor，FET)与 双极型晶体管 (Bipolar Junction Transistor,BJT ) 不同，它是多子导电，输入阻抗高，温度稳定性好。

场效应管根据其结构不同分为两种:
1、结型场效应管 JFET    junction type
2、绝缘栅型场效应管   MOSFET 
      metal oxide semiconductor type FET

7. 2 结型场效应管 (JFET):
一、结构

二、工作原理（以N沟道为例）

N沟道结型场效应管的特性曲线
转移特性曲线

N沟道结型场效应管的输出特性曲线

7.2.2  P沟道结型场效应管


 特性曲线

输出特性曲线

 结型场效应管的缺点：
1. 栅源极间的电阻虽然可达107以上，但在某些场合仍嫌不够高。
2. 在高温下，PN结的反向电流增大，栅源极间的电阻会显著下降。
3. 栅源极间的PN结加正向电压时，将出现较大的栅极电流。
绝缘栅场效应管可以很好地解决这些问题。

7. 3  绝缘栅场效应管(MOS):
7.3.1、 N沟道增强型FET的结构和电路符号

7.3.2、MOS管的工作原理
以N 沟道增强型(NMOS)为例

增强型N沟道MOS管的特性曲线

输出特性曲线

7.3.4 N 沟道耗尽型FET(NMOS)

耗尽型N沟道MOS管的特性曲线
耗尽型的MOS管UGS=0时就有导电沟道，加反向电压才能夹断。

7.4   MOS门电路
7.4..1  MOS反相器

7.4.2  CMOS反相器


试求:     静态工作点,    电压放大倍数

自偏压电路

7.4.3  CMOS电路的优点
1.  静态功耗小。
2.  允许电源电压范围宽（318V）。
3.  扇出系数大，抗噪容限大。

完结。

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