1、VGH: Vgatehigh,是指gate级的高电位,也就是打开gate级的电压。
2、VGL: Vgatelow,是gate级的低电位,也就是关闭gate级的电压,在二阶驱动时此电压有效,在三阶驱动时,此电压只是用来产生Vgoffl;
3、VgoffL: Vgateofflow,是gate级关闭电压中的低电平(使用在三阶驱动中,由VGL经过一个电压转换电路得到)。
4、VgoffH:Vgateoffhigh,是gate级关闭电压中的高电平(在三阶驱动中使用,用来消除下一条gate级关闭时由储存电容(CS ON GATE)造成的电压值改变),它的值基本上可以认为是Vgoffl+Vcom;
有些IC资料上面只提到了VGH和VGL,那是因为,这颗IC只支持二阶驱动,有的IC资料上面VGH、VGL、VGOFFH、VGOFFL都有,那是因为此IC支持二阶和三阶驱动。
VDDG,VEEG为二阶驱动的GATE的开关电平。
5、VCOM:液晶偏转基。
二、关于Vcc和Vdd的区别
1、解释
VCC：C=circuit 表示电路的意思, 即接入电路的电压；
VDD：D=device 表示器件的意思, 即器件内部的工作电压；
VSS：S=series 表示公共连接的意思，通常指电路公共接地端电压。
2、说明
（1）、对于数字电路来说，VCC是电路的供电电压,VDD是芯片的工作电压（通常Vcc>Vdd），VSS是接地点。
（2）、有些IC既有VDD引脚又有VCC引脚，说明这种器件自身带有电压转换功能。
（3）、在场效应管（或COMS器件）中，VDD为漏极，VSS为源极，VDD和VSS指的是元件引脚，而不表示供电电压。
（4）、一般来说VCC=模拟电源,VDD=数字电源,VSS=数字地,VEE=负电源
另外一种解释：
Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单级器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP结构Vcc就为负了。荐义选用芯片时一定要看清电气参数。
Vcc 来源于集电极电源电压, Collector Voltage, 一般用于双极型晶体管, PNP 管时为负电源电压, 有时也标成 -Vcc, NPN 管时为正电压.
Vdd 来源于漏极电源电压, Drain Voltage, 用于 MOS 晶体管电路, 一般指正电源. 因为很少单独用 PMOS 晶体管, 所以在 CMOS 电路中 Vdd 经常接在 PMOS 管的源极上.
Vss 源极电源电压, 在 CMOS 电路中指负电源, 在单电源时指零伏或接地.
Vee 发射极电源电压, Emitter Voltage, 一般用于 ECL 电路的负电源电压.
Vbb 基极电源电压, 用于双极晶体管的共基电路。
三、相关参考文档
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