大功率半导体器件对温度敏感、怕热，过热容易损坏，所以大电流下将电压降低（既功耗更小）会更耐用，如果功耗过大发热严重，必然寿命缩短，可靠性差。下图中的电路利用大电流下，测试全桥与IGBT的压降，压降降低之后，必然功效小，更可靠。万用表提供的测试电压低，测试电流小，测试有局限性。

      电磁炉常用全桥为15A/600V ~ 25A/800V，IGBT一般为15A~25A/1200V，以2100W电磁炉为例，Io≈9A（因为电磁炉功率因素不可能为I，所以功率÷电压得到的电流值，作为估算值），其实测数据如下（模拟实验以接近真实的工作电流为目的）：

       以英飞凌（西门子）的IGBT管的压降低，功耗更小，更可靠，散热片也可以相对小一点，市场上所谓的英飞凌H25R1202明细是假品。

      由于元件的高频特性与耐压参数无法测量，此方法职位挑选元件提供一个参考。