NOR Flash 和NAND Flash 均属于非易失存储芯片,分别简称为NOR闪存和NAND闪存,现已大量用于数码产品、电脑及平板彩电中。1988年,Intel 公司推出了NOR Flash存储器,如图1所示,这彻底改变了之前由EPROM(具有可擦除功能的只读存储器)和EEPROM (电可擦写、可编程只读存储器)一统天下的局面。NOR闪存的的优点是芯片内执行(XIP ,ex-ecute In Place), 不必把代码读到系统RAM中,即应用程序可以直接在Flash内运行,数据读取速度较快,并且在1MB~4MB的小容量时具有很高的成本优势;缺点是数据擦除与写入速度较慢。
1989年,东芝公司推出了NAND Flash存储器,其内部采用非线性宏单元模式,是目前大容量数据存储的理想存储芯片。NAND闪存具有容量大、擦写速度快等优点,现已广泛用于存储卡、U盘、固态硬盘及智能电子产品中,如图2所示。虽然不同型号的NAND Flash 存储器的引脚定义相近,且与CPU的通讯方式基本相同,但NAND Flash存储器的兼容性较差。因此,在实际维修中,若NAND Flash存储器损坏,建议换用同品牌、同型号的正规产品(网上销售的部分产品为残次品,稳定性差、故障率高,甚至无法使用),并且焊接时需保持芯片引脚干净,否则易导致数据读写错误。
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