接通+3V电源，TR经T1的N2、R9获得基极电流而导通，N1中产生的集电极电流经N2正反馈到TR基
极，TR立即饱和，TR集电极电流线性增加，N2中感应电流维持TR饱和，当TR的集电极电流增加到N2不能满足它保持饱和所需的基极电流时，N1端电压下降，则N2端电压也下降，TR集电极电流下降，正反馈使TR截止。存储在N1中的磁场能泄放，在N3两端感应出电压使D2导通，电流经C、D1，对C充电。在磁能泄放期间，N2两端的感应电压使TR截止一直到磁能泄放完毕，N3中无感应电压，TR又在流经R9的偏流作用下再一次饱和，又再一次截止时C再一次充电。因C前面已经被充电而积累了一定电压，由电路的过渡过程分析可知，此次充电开始时N3两端的感应电压将等于前一次充电结束时的电容C上的电压，C此次充电结束时的电压将略高于充电开始时的电压。经TR若干个振荡周期后，C的端电压逐渐升高到200V，使TR截止期内N3的感应电压也达200V，若Tl的N4／N3=9／200，N4的感应电压使9V稳压管DZ导通，从而可控硅TR1导通并保持，电容C经TR1、“地”、T2的N1回路放电(D1因反偏而截止)。T2的N1两端电压为200V，该电压经T2的N2升压后，在放电间隙形成近20000V的高压，产生电火花，点燃燃气。
可见C的充放电过程是一个“厚积薄发”的过程=因此，尽管TR的振荡频率几乎在超音频范围(TR的振荡频率是变化的，振荡频率随C的端电压升高而升高)，而我们听到的放电“哒哒”声的频率，却不足10Hz。
C2用于防止可控硅的误触发，C1则可以不用。
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