一、问题现象：
近期平板产品（尤其是CORTTEZ机芯、MSTAR等机芯）出现了许多离散故障，主要表现为不开机、功能混乱、整机图像、声音异常、白平衡偏色等等，都是通过清空母块数据解决。
二、分析结论：
前期，MSTAR机芯为了解决母块失效问题，分别在VCC端增加存储器电源滤波电路、增加I/O口通过软件对写保护脚进行控制、更换EEPROM厂家等措施，但效果并不理想。通过分析（详见后续分析），这种现象的出现是一个复杂的系统问题；也就是整个方案软件、硬件组成的系统运行不稳定性造成的。对于系统的正常运行和可靠性而言，I2C总线时序是非常重要的。我们频繁的通断电，更对系统运行稳定性产生了负面影响。该问题的出现，并不能通过简单的硬件、应用软件的更改就能避免，需要方案厂家底层软、硬件设计人员对整个设计系统进行完善。EEPROM电路的硬件设计比较简单，CRT、平板大同小异，为什么会单单在某几个机芯方案中表现明显呢？CRT机芯表现比较稳定，这就很能说明问题。
对目前量产的机芯及正在开发的新方案，采取如下措施：
1、对量产的CORTEZ机芯、MSTAR机芯，在完检第一道工序增加清空母块操作；
2、对正在开发的机芯（120Hz项目）完善EEPROM、I2C系统硬件、软件设计：
1 对系统运行的稳定性、可靠性进行反复测试，完善底层软件的设计；
2 增加存储器电源滤波电路；
3 对通过I/O控制WP脚方式进行验证；
4 继续完善母块数据读取过程中的CHECKSUM校验。
在分析之初，也提出了诸如开机EEPROM初始化不完全、机内干扰脉冲改写EEPROM数据等原因，通过对EEPROM工作原理的分析，可以基本予以否定，下面将逐一进行分析。
三、存储器工作原理：
存储器（EEPROM）中不仅存储与普通电视相同的节目预选、音量、亮度、对比度等一些数据，还要存储各被控电路的调整数据和电路状态设置数据，例如：RF－AGC、白平衡、画中画、EMI、音量曲线设置，图像状态参数设置等等。
1、存储器（EEPROM）引脚定义：
8脚PDIP封装的24C××系列存储器引脚定义如下图所示，其中，A0、A1、A2为器件地址选择位，这三个引脚配置成不同的编码值，在同一串行总线上最多可扩展8片同一容量或不同容量的24C系列串行EEPROM芯片。WP（TEST）为硬件写保护控制端（测试端），SDA为串行数据输入/输出端，漏极开路驱动；容量扩展时，可以将多片24系列SDA引脚直接相连，实际使用时要加一个上拉电阻，VCC和GND分别是电源和地。
24C××系列存储器的⑦脚有两种接法：
美国AT、ST、BR公司生产的24C××系列存储器，其⑦脚需接地才能写入数据；而韩国KOA、KOR、KS公司生产的24C××系列存储器，其⑦脚则需接高电平才能写入数据。 
2、存储器（EEPROM）上电过程中的映像操作及Checksum校验：
在系统的运行过程中，对EEPROM的任何读写操作，都是首先在其DDR中的映像缓冲RAM中完成的。EEPROM有一个字WORD存储Checksum值，即EEPROM各位做简单加法得到的值。当整机上电时，CPU首先在DDR中为EEPROM建立一同样容量的映像，同时对映像中的数据进行Checksum实时运算，将运算结果与EEPROM中的Checksum进行比较，如果结果不一致，CPU将对EEPROM进行初始化操作，我们所有的平板产品软件都做此处理。
这里，我们可以对先前的假设“开机对空EEPROM初始化不完全，导致某些电性能异常”进行分析。平板产品大部分机型在初次上电时，母块为空块，上电时CPU对母块执行初始化处理，即写入软件默认数据。如果在初始化时突然断电，母块数据没有写完全，这时还没有进行Checksum运算，Checksum值为0FFFFH；再次通电，CPU首先在DDR中为EEPROM建立一同样容量的映像，同时对映像中的数据进行Checksum实时运算，将运算结果与EEPROM中的Checksum进行比较，结果不一致，必定对EEPROM重新进行初始化，因此不会存在由于
EEPROM初始化不完全，导致某些电性能异常的故障。 [Page]
3、存储器（EEPROM）读写过程分析：
AT24CXX系列的EEPROM为了提高写效率，提供了页写功能，内部有个一页大小的写缓冲RAM，地址范围当然就是从00到一页大小，发生写操作时，开始送入地址对应的页被选中，并将其内容映像到缓冲RAM，数据从低端地址对应的缓冲RAM地址开始修改，超过这个地址范围就回到00；写完后，就会把开始确定的EEPROM页擦除，再把一整页RAM数据写入，所有写数据都发生在开始写地址时确定的页上。
如页容量为128，一页都是从00开始按128字节分成一个个的页，0页就是0～7F，1页就是80～FF，依次类推，边界就是128字节的整数倍地址。页RAM的地址范围为7位00～7F，写入时高端地址就是页号。发生写操作，开始送入地址对应的页被锁存，后续不论写多少，都在这个页中，只是一个页内的地址进行加一，超过就归零开始。页是绝对的，按整页大小排列，不是从开始写入的地址开始算。
读没有页的问题，可以从任意地址开始读取任意大小数据，只是超过整个存储器容量时地址才回卷，但一次性访问的数据长度也不要太大；所以分页的存储器要做好存储器管理，尽量同时读写的数据放在一个页上。
写完后，等待10ms以上时间再进行其它操作。关于WP脚（＃7脚）写保护脚，它直接控制内部编程电压的升压泵工作。一定注意，当一次写操作完毕后，不能立即抬高这个引脚写保护，而应该等待10ms以上，内部操作完成后再置1。
由于干扰造成总线锁定问题，比如写操作时，由于干扰波形很差丢失一个SCL，这样就会在第9个SCL读不到应答，而在第9个SCL的下降沿，设备才输出应答锁定SDA=0；这样就会造成总线锁定，而使主设备无法发送停止位等等类似情况，会造成下面的操作出错。
从以上也可以看出，离散干扰脉冲要想完成对EEPROM的写操作也是很难的，首先干扰脉冲要能够对挂在I2C总线上的SLAVE器件完成寻址，并且对需要写入的页地址也要刚好对应，同时还要有写命令，这么多的巧合几率非常小。因此，对于“机内干扰脉冲改写EEPROM数据导致某些电性能异常”的分析不是不可能，只是出现的几率非常小。
对于这个问题，可以通过对EEPROM写保护脚进行设置解决，有两种方法：
（1）通过CPU一个端口控制存储器⑦脚电平，对其进行读写操作时，将⑦脚置于低电平，其余时间均将⑦脚置于高电平。这样即使总线受到信号干扰，也不能对存储器的数据造成影响。此方案优点是可用软件控制，灵活性较强，缺点是需要占用CPU一个I/O口，软
件需要对EEPROM的每次写操作进行控制，增加工作量；同时，在写入及对I/O的控制时序上会出现问题。MSTAR机芯在解决母块失效问题时采用过此方法，但效果并不理想，时序总出现问题，后来取消了。
（2）在存储器⑦脚增加保护电路：（如下图所示）
将CPU待机控制端STANDBY引出一路接三极管V251基极，整机加上220V交流电后，CPU进行初始化及各项检测，然后CPU将STANDBY脚输出高电平，三极管导通后，将存储器⑦脚置于低电平，可以对存储器写入数据，此前STANDBY脚一直为低电平，存储器⑦脚置于高电平，不能对存储器进行读写，避免了交流开关机瞬间造成的脉冲干扰进入总线，从而保护了存储器中的数据，此方案在CRT瑞萨机芯中已批量应用。
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