随着电子技术的飞速发展，大功率晶体管应用日益广泛，进一步提高大功率晶体管的可靠性，对电子产品质量的提高有很大意义。 

一、晶体管损坏原因 
    1．电路中的电压、电流、输出功率过载引起损坏在晶体管电路中主要与集电极一发射极间的电压Vcc集电极-基极Vcb与晶体管固有的特性参数(如BVcbo、BVceo、Icbo、Icco、Pcm)及工作条件(BVcer、BVcex)有关。如果电路中晶体管的集电极BVceo电压超过了最大值，就会造成晶体管的损坏。 
    2．热损坏在晶体管手册中一般所指的最大电压，通常是常温(25℃)下的值。因此，在环境温度较高或在最高结温下使用时，晶体管工作的实际最大电压将小于常温时的值，此时晶体管的Icbo和Iebo也会增加，造成结温上升，而结温升高又会使Icbo和Iebo更进一步增大而形成雪崩现象，结果热击穿而损坏。 
    3．二次击穿引起的损坏在晶体管电路中，当集电极电压升高时首先会出现一次击穿，使Ic急剧增加。当其电压增加到某一临界值后压降会突然降低，形成很大的过电流，造成二次击穿而损坏。 
    4．外界环境变化引起的损坏外界环境变化是指机械振动、外力冲击、潮湿、化学物品的侵蚀等外界因素造成的损坏。

二、晶体管的保护 
    1.规范操作 
    不要使负载短路和开路，不要突然加很强的信号，不要使用波动很大、频率不稳定的市电。另外应加散热装置和设计保护电路。 
    2.增大功率 
    采用功率管并联以降低单管的功率，但并联时要求管子性能尽可能一致，必要时配对的功率管参数应选择完全一致。 
    3．改善大功率晶体管的工作环境 
    工作环境是指温度、振动等。使用带有大功率晶体管的电器产品时，应尽量放置在通风较好的地方，以改善其工作环境。