CS83711E的全差分架构和极高的PSRR有效地提高了CS83711E对RF噪声的抑制能力。无需滤波器的PWM调制结构及内置的BOOST升压模块,以及CS83711E采用专有的AERC(Adaptive Edge Rate Control)技术 ,在音频全带宽范围内极大地降低了EMI的干扰,对60cm的音频线,在FCC的标准下具有超过20dB的裕量,另外CS83711E内置了过流保 护,短路保护和过热保护,有效的保护芯片在异常的工作条件下不被损坏。CS83711E提供了纤小的的EQA28封装形式供客户选择,其额定的工作温度范围为-40℃至85℃。
一、CS83711E功能和特性
1、内置BOOST模块R类结构
2、输出功率
PO at 10% THD+N, Vbat = 7V
RL = 4 Ω+47uH 2 x 16.5W(D MODE NCN OFF)
PO at 1% THD+N, Vbat = 7V
RL = 4 Ω+47uH 2 x 13.3W(D MODE NCN OFF)
3、优异的"噼噗-咔嗒"(pop-noise)杂音抑制能力
4、工作电压范围:6V到9V
5、内置两种防破音模式
6、BOOST升压至11V
7、无需滤波的Class-D结构
8、90%的效率@VDD=8.4V,PO=2X16.5W
9、高电源抑制比(PSRR):在217Hz下为72dB
10、启动时间 (220ms)
11、静态电流 (25mA)
12、低关断电流 (10µA)
13、过流保护,短路保护和过热保护
14、符合Rohs标准的无铅封装
二、CS83711E引脚功能
三、CS83711E典型应用电路
四、CS83711E极限电气参数
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